TY  - THES
T1  - Analyse zur Bildung atomarer Defektkomplexe nach Dotierung von Cadmium-Tellurid und Zink-Oxid
A1  - Türker,Muhammed
Y1  - 2012/10/19
N2  - Einige II VI Halbleiter lassen sich nur gut p-Typ oder nur gut n-Typ dotieren. Mögliche Ursachen für die Kompensation der Dotierung sind intrinsische Defekte wie z. B. Leerstellen oder extrinsische Defekte (Fremdatome). Ein Kompensationsmechanismus in CdTe, das mit Indium als Donator dotiert ist, ist die Bildung von DX-Zentren. Ein Ansatz zur Verbesserung der p Typ Dotierbarkeit von ZnO ist die Kodotierung. Bei gleichzeitigem Dotieren von ZnO mit Akzeptoren (z. B. N) und Donatoren (z. B. In) sollen Donator-Akzeptor-Komplexe zur Erhöhung der Akzeptorlöslichkeit führen. In der Dissertation werden DX-Zentren in CdTe und Donator-Akzeptor-Komplexe in ZnO bezüglich ihrer strukturellen Eigenschaften auf atomarer Ebene mit Hilfe der gestörten gamma gamma Winkelkorrelation (PAC) untersucht.
KW  - Zwei-Sechs-Halbleiter
KW  - Dotierung
KW  - PAC
KW  - DX-Zentrum
KW  - Photolumineszenzspektroskopie
CY  - Saarbrücken
PB  - Universitäts- und Landesbibliothek
AD  - Postfach 151141, 66041 Saarbrücken
UR  - http://scidok.sulb.uni-saarland.de/volltexte/2012/4970
ER  -