Analyse zur Bildung atomarer Defektkomplexe nach Dotierung von Cadmium-Tellurid und Zink-Oxid

Abstract

Einige II VI Halbleiter lassen sich nur gut p-Typ oder nur gut n-Typ dotieren. Mögliche Ursachen für die Kompensation der Dotierung sind intrinsische Defekte wie z. B. Leerstellen oder extrinsische Defekte (Fremdatome). Ein Kompensationsmechanismus in CdTe, das mit Indium als Donator dotiert ist, ist die Bildung von DX-Zentren. Ein Ansatz zur Verbesserung der p Typ Dotierbarkeit von ZnO ist die Kodotierung. Bei gleichzeitigem Dotieren von ZnO mit Akzeptoren (z. B. N) und Donatoren (z. B. In) sollen Donator-Akzeptor-Komplexe zur Erhöhung der Akzeptorlöslichkeit führen. In der Dissertation werden DX-Zentren in CdTe und Donator-Akzeptor-Komplexe in ZnO bezüglich ihrer strukturellen Eigenschaften auf atomarer Ebene mit Hilfe der gestörten gamma gamma Winkelkorrelation (PAC) untersucht.

Some II-VI semiconductors can only be doped efficiently either p-type or n-type. Possible reasons for the compensation of dopants are intrinsic defects, e.g., vacancies or extrinsic defects, i.e., impurity atoms. A compensation mechanism in CdTe doped with In as donor is the formation of DX centers. A possible way to enhance the p-type doping of ZnO is codoping. Having doped ZnO simultaneously with acceptors (e.g., N) and donors (e.g., In) a possible formation of donor-acceptor complexes should increase the solubility of acceptors. In this thesis the structural properties of DX-centers in CdTe and donor-acceptor complexes in ZnO have been studied on an atomic scale using the perturbed gamma gamma angular correlation (PAC) spectroscopy.